1000层 相关话题

三星还展示了为下一代NAND的无数目量产而准备的低温蚀刻和钼千里积等改变期间 IT之家 2 月 26 日音问，三星电子 DS 部门 CTO 宋在赫（송재혁）在上周于旧金山举行的海外固态电路会议（ISSCC）上发表主题演讲，并展示了其晶圆键合、低温蚀刻和钼利用等期间。 据先容，这些期间将从 400 层的 NAND 闪存期间运行利用，而且他还提到，“键合期间可用于（在 NAND 区域）竣事 1000 多层（堆叠）”。 IT之家注：晶圆键合是指离别制造外围晶圆和单位晶圆，然后将它们键合在一皆酿成单个半