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测试配景 热阻是意象超高亮度和功率型LED器件及阵列组件热工截止联想是否合理的一个最要津的参数。 测量芯片热阻的主要设施有 电学参数法和红外热像法。其中电学法欺诈LED自己的热明锐参数——电压变化来反算出温升，从而得到责任状况下的结温，是LED器件及应用产物热工参数测量中最常使用的设施。而红外热像法是红外探伤器通过光学成像物镜接受被测联想的红外辐射能量，并把能量分散反应到红外探伤器的光敏组件上，从而获取红外热像图，这种热图像与物体名义的热分散场相对应。 然则电学法是曲折测试设施，只可测量出单点